Il 5 luglio 1951 in una conferenza stampa il fisico William Bradford Shockley Jr. annuncia l'invenzione del transistor a giunzione, di cui otterrà il brevetto il 25 settembre 1951. Per questa invenzione Shockley, con John Bardeen e Walter Brattain, ottiene il Nobel per la fisica nel 1956. Il transistor diventerà l'elemento base di tutti gli apparecchi elettronici. William Bradford Shockley Jr. nasce il 13 febbraio 1910 a Londra (Inghilterra) si laurea in Scienze al California Instituto of Technology nel 1932 e nel 1936 si specializza al Mit di Boston (Massachusetts, Usa). Durante la II Guerra mondiale si dedica a ricerche nel campo dei radar. Shockley muore il 12 agosto 1989 a Stanford (California, Usa).